[发明专利]存储阵列自刷新频率测试方法与存储阵列测试设备有效

专利信息
申请号: 202010892574.X 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN114121074B 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 陆天辰 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 孙宝海;袁礼君
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本公开提供一种存储阵列自刷新频率测试方法与存储阵列测试设备。所述测试方法包括:提供存储阵列;确定所述存储阵列中各存储单元漏电的最短时长,并标记为第一时长;根据所述第一时长设定所述存储阵列的主动刷新周期,所述主动刷新周期大于所述第一时长;进行m次测试,其中第n次测试包括顺次进行刷新位置计数清零、对所述存储阵列写入预设数据、时长为Tn的自刷新、时长为一个所述主动刷新周期的主动刷新以及读取所述存储阵列并记录读取状态,其中Tn‑1<Tn,2≤n≤m;根据所述m次测试对应的m个读取状态确定所述存储阵列的自刷新频率。本公开实施例可以准确测量存储阵列的自刷新频率。
搜索关键词: 存储 阵列 刷新 频率 测试 方法 设备
【主权项】:
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