[发明专利]存储阵列自刷新频率测试方法与存储阵列测试设备

权利要求书

1.一种存储阵列自刷新频率测试方法，其特征在于，包括：

提供存储阵列；

确定所述存储阵列中各存储单元漏电的最短时长，并标记为第一时长；

根据所述第一时长设定所述存储阵列的主动刷新周期，所述主动刷新周期大于所述第一时长；

进行m次测试，其中第n次测试包括顺次进行刷新位置计数清零、对所述存储阵列写入预设数据、时长为T_n的自刷新、时长为一个所述主动刷新周期的主动刷新以及读取所述存储阵列并记录读取状态，其中T_n-1＜T_n，2≤n≤m；

根据所述m次测试对应的m个读取状态确定所述存储阵列的自刷新频率。

2.如权利要求1所述的存储阵列自刷新频率测试方法，其特征在于，所述确定所述存储阵列中各存储单元漏电的最短时长包括：

停止所述存储阵列的自刷新功能和主动刷新功能，对所述存储阵列写入所述预设数据；

多次读取所述存储阵列，在读取结果首次不为所述预设数据时确定本次读取所述存储阵列的时间点与上次读取所述存储阵列的时间点之间的时间差；

将所述时间差设置为所述最短时长。

3.如权利要求2所述的存储阵列自刷新频率测试方法，其特征在于，所述多次读取所述存储阵列包括：在第k次读取所述存储阵列的时间点为t_k时，t_k+1-t_k与t_k-t_k-1的差值不大于0.01秒，k为正整数，k≥2。

4.如权利要求1所述的存储阵列自刷新频率测试方法，其特征在于，所述根据所述第一时长设定所述存储阵列的主动刷新周期包括：

确定所述第一时长与所述存储阵列对应的一个主动刷新周期内的刷新次数的比值，并标记为第二时长；

将所述主动刷新周期设置为所述第一时长和所述第二时长之和。

5.如权利要求1所述的存储阵列自刷新频率测试方法，其特征在于，所述根据所述m次测试对应的m个读取状态确定所述存储阵列的自刷新频率包括：

确定读取状态为未读取到预设数据的测试，并标记为备选测试；

根据多个所述备选测试对应的自刷新时长确定所述存储阵列的自刷新周期。

6.如权利要求5所述的存储阵列自刷新频率测试方法，其特征在于，所述根据多个所述备选测试对应的自刷新时长确定所述存储阵列的自刷新周期包括：

获取多个所述备选测试对应的自刷新时长；

将多个所述备选测试对应的自刷新时长进行两两相减以获取多个目标差值；

根据所述多个目标差值确定所述存储阵列的自刷新周期。

7.如权利要求1或5所述的存储阵列自刷新频率测试方法，其特征在于，第n次测试的自刷新时长T_n与第n-1次测试的自刷新时长T_n-1的差值为固定值，且所述差值小于1us。

8.如权利要求1所述的存储阵列自刷新频率测试方法，其特征在于，所述根据所述m次测试对应的m个读取状态确定所述存储阵列的自刷新频率包括：

根据所述m次测试对应的m个读取状态确定所述存储阵列的自刷新周期；

确定所述存储阵列的一个刷新周期内的刷新次数；

根据所述存储阵列的一个刷新周期内的刷新次数和所述存储阵列的所述自刷新周期的比值确定所述存储阵列的自刷新频率。

9.如权利要求4或8所述的存储阵列自刷新频率测试方法，其特征在于，所述存储阵列的一个刷新周期内的刷新次数为8192次。

10.一种存储阵列测试设备，其特征在于，包括：

存储器；

处理器，用于执行所述存储器中存储的代码，以执行如权利要求1～9任一项所述的存储阵列自刷新频率测试方法。