[发明专利]一种铬酸稀土基多孔导电高熵陶瓷的制备方法及应用有效
| 申请号： | 202010880114.5 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN114105629B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张雪松;杨帆;邵志恒;薛丽燕;林婉晴;江正明;王凯先;周子健 | 申请（专利权）人： | 厦门稀土材料研究所 |
| 主分类号： | C04B35/42 | 分类号： | C04B35/42;C04B35/626;C04B35/624;C04B35/64;C04B35/622;C04B38/06;B01J23/26;B01J37/08;B01J32/00;C09K21/02;H01B3/12 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 聂稻波 |
| 地址： | 361021 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种铬酸稀土基高熵陶瓷粉体，并将其多孔化，制备了铬酸稀土基多孔导电高熵陶瓷。利用纤维素和三聚氰胺造孔，提高了孔隙率，材料热导率降低至0.3W/mK以下，多孔化增加了陶瓷的韧性，而且通过对成孔剂的加入量、种类以及烧结温度的改变使得孔径在0.1‑25μm范围可控，在热电转化方面表现优异。本发明提供多种多孔高熵陶瓷制备方法，简单易行，合成的晶粒细小均匀；采用高温固相合成或溶胶‑凝胶法，流程简单而操作条件可控，易于产业化推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 基多 导电 陶瓷 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门稀土材料研究所，未经厦门稀土材料研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010880114.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种排水装置及洗衣设备
- 下一篇：一种电子设备、认证系统及认证方法
