[发明专利]一种铬酸稀土基多孔导电高熵陶瓷的制备方法及应用有效
申请号: | 202010880114.5 | 申请日: | 2020-08-27 |
公开(公告)号: | CN114105629B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 张雪松;杨帆;邵志恒;薛丽燕;林婉晴;江正明;王凯先;周子健 | 申请(专利权)人: | 厦门稀土材料研究所 |
主分类号: | C04B35/42 | 分类号: | C04B35/42;C04B35/626;C04B35/624;C04B35/64;C04B35/622;C04B38/06;B01J23/26;B01J37/08;B01J32/00;C09K21/02;H01B3/12 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 聂稻波 |
地址: | 361021 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稀土 基多 导电 陶瓷 制备 方法 应用 | ||
本发明提供了一种铬酸稀土基高熵陶瓷粉体,并将其多孔化,制备了铬酸稀土基多孔导电高熵陶瓷。利用纤维素和三聚氰胺造孔,提高了孔隙率,材料热导率降低至0.3W/mK以下,多孔化增加了陶瓷的韧性,而且通过对成孔剂的加入量、种类以及烧结温度的改变使得孔径在0.1‑25μm范围可控,在热电转化方面表现优异。本发明提供多种多孔高熵陶瓷制备方法,简单易行,合成的晶粒细小均匀;采用高温固相合成或溶胶‑凝胶法,流程简单而操作条件可控,易于产业化推广。
技术领域
本发明属于多孔高熵陶瓷领域,具体涉及一种铬酸稀土基多孔导电高熵陶瓷材料的制备方法及应用。
背景技术
高熵陶瓷通常指由5种或5种以上陶瓷组元形成的固溶体,其具有非常优异的高熵效应及性能。2004年中国台湾的叶均蔚教授提出了高熵合金的概念,2015年,美国北卡罗莱纳州立大学的Rost、Maria和杜克大学的Curtarolo等报道了一种岩盐结构的熵稳定氧化物陶瓷,高熵陶瓷的概念由此被提出。高熵陶瓷主要有以下四个特点:(1)热力学的高熵效应;(2)结构的晶格畸变效应;(3)动力学的迟滞扩散效应;(4)性能上的“鸡尾酒”效应。
从上世纪70年代开始,铬酸镧做为固体氧化物燃料电池连接体材料,其在各种气氛下均具有良好的导电性能,铬酸镧本身导电性能很差,但是通过碱土金属掺杂之后可极大幅度提高其导电性能,这是因为晶体中的镧被二价碱土金属取代后,为保持自身的电中性,铬原子由三价变为四价并形成电子空位,从而成为了一种p型半导体。根据现有文献,高熵化会降低材料的热导率、提高电导率和塞贝克系数,从而提高材料的热电性能。
多孔陶瓷可分为微孔陶瓷、介孔陶瓷和大孔陶瓷,其中微孔陶瓷指孔径小于2nm的多孔陶瓷,介孔陶瓷指孔径介于2nm和50nm之间的多孔陶瓷,大孔陶瓷指孔径大于50nm的多孔陶瓷。目前多孔陶瓷的制备方法主要有四种,分别是部分烧结法、牺牲模板法、复制模板法和直接发泡法。多孔陶瓷的应用领域广泛,在催化、催化剂载体、耐火绝缘材料等领域均有非常广泛的应用。
发明内容
本发明提供一种铬酸稀土基高熵陶瓷粉体,其化学式为(nRExmAEy)CrO3;
其中,RE为稀土元素;所述稀土元素选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Er、Tm、Yb、Lu中的n种;
AE为碱土金属;所述碱土金属选自Ca、Sr、Ba中的m种;
n为稀土元素RE的种类数,选自4-15的数,如4、5、6、7、8、9、10、11或12;
m为碱土金属AE的种类数,选自1、2或3;
x为稀土元素RE在一个高熵陶瓷粉体分子中占的个数,选自0.1-0.6,如0.2、0.3、0.4、0.5;
y为碱土金属AE在一个高熵陶瓷粉体分子中占的个数,选自0.1-0.6,如0.2、0.3、0.4、0.5;
且,n×x+m×y=1。
根据本发明的实施方案,所述铬酸稀土基高熵陶瓷粉体,其化学式为(4RE0.2AE0.2)CrO3;
RE选自钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)中的4种;
AE选自钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)中的1种。
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