[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202010876622.6 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113380819A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 井口直 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够适当地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个导电层，在与基板的表面交叉的第1方向上排列；多个存储单元，与多个导电层连接；接触电极，在第1方向上延伸，与多个导电层中的一个导电层连接；以及绝缘构造，在第1方向上延伸，与接触电极的第1方向上的一侧的端部连接，并贯通多个导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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