[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式提供一种能够适当地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个导电层，在与基板的表面交叉的第1方向上排列；多个存储单元，与多个导电层连接；接触电极，在第1方向上延伸，与多个导电层中的一个导电层连接；以及绝缘构造，在第1方向上延伸，与接触电极的第1方向上的一侧的端部连接，并贯通多个导电层。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020-039886号(申请日：2020年3月9日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请包括基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式涉及半导体存储装置。

背景技术

已知一种半导体存储装置，具备：基板；多个导电层，在与基板的表面交叉的第1方向上排列；多个存储单元，与多个导电层连接；以及接触电极，在第1方向上延伸，并与多个导电层中的一个导电层连接。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够适当地制造的半导体存储装置。

一个实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个导电层，在与基板的表面交叉的第1方向上排列；多个存储单元，与多个导电层连接；接触电极，在第1方向上延伸，并与多个导电层中的一个导电层连接；以及绝缘构造，在第1方向上延伸，并与接触电极的第1方向上的一侧的端部以及多个导电层连接。

附图说明

图1是表示第1实施方式的存储系统10的结构的示意性框图。

图2是表示该存储系统10的结构例的示意性侧视图。

图3是表示该结构例的示意性俯视图。

图4是表示第1实施方式的存储裸片MD的结构的示意性框图。

图5是表示该存储裸片MD的一部分的结构的示意性的电路图。

图6是该存储裸片MD的示意性俯视图。

图7是用A-A′线切断图6所示的构造，并沿箭头的方向观察的示意性剖视图。

图8是图6的B所示的部分的示意性放大图。

图9是图8所示的各区域的示意性的放大图。

图10A是用C-C′线切断图9所示的构造，并沿箭头的方向观察的示意性剖视图。

图10B是图10A的D所示的部分的示意性放大图。

图10C是用E-E′线切断图8所示的构造，并沿箭头的方向观察的示意性剖视图。

图10D是图10C的一部分的示意性放大图。

图10E是用F-F′线切断图9所示的构造，并沿箭头的方向观察的示意性剖视图。

图11是存储裸片MD的示意性剖视图。

图12是表示存储裸片MD的一部分的结构的示意性立体图。

图13是表示存储裸片MD的一部分的结构的示意性立体图。

图14是表示第1实施方式的存储裸片MD的制造方法的示意性立体图。

图15是表示该制造方法的示意性立体图。

图16是表示该制造方法的示意性立体图。

图17是表示该制造方法的示意性立体图。

图18是表示该制造方法的示意性立体图。

图19是表示该制造方法的示意性立体图。

图20是表示该制造方法的示意性立体图。