[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

基板；

多个导电层，在与所述基板的表面交叉的第1方向上排列；

多个存储单元，与所述多个导电层连接；

接触电极，沿所述第1方向延伸，并与所述多个导电层中的一个导电层连接；以及，

绝缘构造，沿所述第1方向延伸，并与所述接触电极的所述第1方向上的一侧的端部以及所述多个导电层连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，具备：

多个层间绝缘膜，设置于沿所述第1方向排列的多个导电层之间，

所述多个导电层具备在所述第1方向上相邻的第2导电层及第3导电层，

所述多个层间绝缘膜具备第1层间绝缘膜，该第1层间绝缘膜设置于所述第2导电层与所述第3导电层之间，

所述绝缘构造具备第1绝缘层，该第1绝缘层沿所述第1方向延伸并与所述多个导电层及所述多个层间绝缘膜连接，

所述第1绝缘层具备：

第1部分，在所述第1方向上设置于与所述第2导电层对应的位置，与所述第2导电层连接；

第2部分，在所述第1方向上设置于与所述第3导电层对应的位置，与所述第3导电层连接；以及

第3部分，在所述第1方向上设置于与所述第1层间绝缘膜对应的位置，与所述第1层间绝缘膜连接。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，

所述第3部分的外径大于所述第1部分及所述第2部分的外径。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘构造具备第2绝缘层，该第2绝缘层沿所述第1方向延伸，并与所述接触电极的所述第1方向的端部连接，

所述第1绝缘层设置于所述第2绝缘层与所述多个导电层之间。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，

所述绝缘构造具备第3绝缘层，该第3绝缘层与所述接触电极、所述第1绝缘层及所述第2绝缘层连接。