[发明专利]存储器元件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010861511.8 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN112447741B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 许哲睿;童盈辅;吕俊昇;黄国峰;郭郁琦;李旺达 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括栅极堆叠结构、第一绝缘层、第二绝缘层、以及第一间隙壁。栅极堆叠结构设置于衬底上。第一绝缘层覆盖栅极堆叠结构的顶面与侧壁。第二绝缘层覆盖第一绝缘层的表面。栅极堆叠结构的顶角区域被第一绝缘层与第二绝缘层覆盖。第一间隙壁位于栅极堆叠结构的侧壁上，且覆盖第二绝缘层的表面。第一间隙壁的最顶端低于第二绝缘层的最顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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