[发明专利]存储器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器元件，包括：

栅极堆叠结构，设置于衬底上；

第一绝缘层，覆盖所述栅极堆叠结构的顶面与侧壁；

第二绝缘层，覆盖所述第一绝缘层的表面，其中所述栅极堆叠结构的顶角区域被所述第一绝缘层与所述第二绝缘层覆盖；以及

第一间隙壁，位于所述栅极堆叠结构的侧壁上，且覆盖所述第二绝缘层的表面，其中所述第一间隙壁的最顶端低于所述第二绝缘层的最顶面，其中所述第二绝缘层具有沿所述衬底的表面而自所述栅极堆叠结构的所述侧壁往外延伸的延伸部分，且所述延伸部分的端面实质上共面于所述第一间隙壁的表面。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第一绝缘层的材料包括氧化硅，而所述第二绝缘层的材料包括氮化硅。

3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第二绝缘层的覆盖所述栅极堆叠结构的所述顶角区域的部分具有倾斜表面，且其中所述第二绝缘层的所述倾斜表面的延伸方向交错于所述衬底的表面以及所述衬底的法线方向。

4.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第二绝缘层的覆盖所述栅极堆叠结构的所述顶角区域的部分具有圆弧表面。

5.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第一绝缘层具有沿所述衬底的表面而自所述栅极堆叠结构的所述侧壁往外延伸的延伸部分，且所述第一绝缘层的所述延伸部分的端面与所述栅极堆叠结构之间的距离大于所述第二绝缘层的所述延伸部分的端面与所述栅极堆叠结构之间的距离。

6.根据权利要求1所述的存储器元件，还包括：

第二间隙壁，位于所述栅极堆叠结构的侧壁上，且覆盖所述第一间隙壁与所述第二绝缘层的表面，其中所述栅极堆叠结构的所述顶角区域被所述第一绝缘层、所述第二绝缘层与所述第二间隙壁覆盖。

7.一种存储器元件的制造方法，包括：

在衬底上形成栅极堆叠结构；

在所述衬底上依序形成覆盖所述栅极堆叠结构的第一绝缘层、第二绝缘层与掩模材料层；

对所述掩模材料层进行离子植入工艺，以在所述掩模材料层中形成掺杂部分，其中所述掺杂部分罩盖所述栅极堆叠结构的顶部；

以所述掺杂部分作为掩模而对所述掩模材料层进行第一图案化工艺，以移除所述掩模材料层的沿所述衬底的表面延伸的底部部分；以及

以第二图案化工艺移除掩模材料层的所述掺杂部分以及所述第二绝缘层的位于所述栅极堆叠结构的周围且暴露出来的底部部分，其中所述掩模材料层的残留部分形成第一间隙壁。

8.根据权利要求7所述的存储器元件的制造方法，在对所述掩模材料层进行所述离子植入工艺之后，还包括：对所述掩模材料层的所述掺杂部分进行去耦等离子体氮化处理。

9.根据权利要求7所述的存储器元件的制造方法，其中所述掺杂部分相较于所述掩模材料层的其他部分而对于所述第二绝缘层具有较低的蚀刻选择比。

10.根据权利要求7所述的存储器元件的制造方法，其中所述第二图案化工艺包括交替进行的蚀刻工艺与沉积工艺。

11.根据权利要求7所述的存储器元件的制造方法，还包括：

在所述衬底上形成覆盖所述第一间隙壁与所述第二绝缘层的第三绝缘层；以及

移除所述第三绝缘层的延伸于所述栅极堆叠结构上以及沿所述衬底的表面延伸的水平延伸部分，其中所述第三绝缘层的残留部分形成第二间隙壁。

12.根据权利要求7所述的存储器元件的制造方法，还包括：

在所述第二绝缘层的最顶面上形成绝缘插塞。