[发明专利]存储器元件及其制造方法

说明书

本发明实施例提供一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括栅极堆叠结构、第一绝缘层、第二绝缘层、以及第一间隙壁。栅极堆叠结构设置于衬底上。第一绝缘层覆盖栅极堆叠结构的顶面与侧壁。第二绝缘层覆盖第一绝缘层的表面。栅极堆叠结构的顶角区域被第一绝缘层与第二绝缘层覆盖。第一间隙壁位于栅极堆叠结构的侧壁上，且覆盖第二绝缘层的表面。第一间隙壁的最顶端低于第二绝缘层的最顶面。

技术领域

本发明涉及一种存储器元件及其制造方法，尤其涉及一种非易失性存储器及其制造方法。

背景技术

快闪存储器元件属于非易失性存储器元件的一种，且在近年来逐渐成为储存媒体的主流技术之一。然而，在快闪存储器元件的造过程中，难以避免地会产生一些带电的离子。这些离子有可能进入快闪存储器元件的栅极结构中，而对快闪存储器的运作造成影响，进而可能降低快闪存储器的可靠度。

发明内容

本发明提供一种快闪存储器元件及其制造方法，可提高快闪存储器的可靠度。

本发明实施例的存储器元件包括栅极堆叠结构、第一绝缘层、第二绝缘层以及第一间隙壁。栅极堆叠结构设置于衬底上。第一绝缘层覆盖栅极堆叠结构的顶面与侧壁。第二绝缘层覆盖第一绝缘层的表面。栅极堆叠结构的顶角区域被第一绝缘层与第二绝缘层覆盖。第一间隙壁位于栅极堆叠结构的侧壁上，且覆盖第二绝缘层的表面。第一间隙壁的最顶端低于第二绝缘层的最顶面。第二绝缘层具有沿衬底的表面而自栅极堆叠结构的侧壁往外延伸的延伸部分，且所述延伸部分的端面实质上共面于第一间隙壁的表面。

本发明实施例的存储器元件的制造方法包括下列步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底上依序形成覆盖栅极堆叠结构的第一绝缘层、第二绝缘层与掩模材料层；对掩模材料层进行离子植入工艺，以在掩模材料层中形成掺杂部分，其中掺杂部分罩盖栅极堆叠结构的顶部；以掺杂部分作为掩模而对掩模材料进行第一图案化工艺，以移除掩模材料层的沿衬底的表面延伸的底部部分；以及以第二图案化工艺移除掩模材料层的掺杂部分以及第二绝缘层的位于栅极堆叠结构的周围且暴露出来的底部部分，其中掩模材料层的残留部分形成第一间隙壁。

基于上述，本发明实施例的存储器元件包括设置于衬底上的栅极堆叠结构，且包括覆盖栅极堆叠结构的第一绝缘层、第二绝缘层以及第一间隙壁。第一绝缘层覆盖栅极堆叠结构的顶面与侧壁，而第二绝缘层覆盖于第一绝缘层上。第一间隙壁覆盖于第二绝缘层上，且位于栅极堆叠结构的侧壁上。此外，第一间隙壁的最顶端低于第二绝缘层的最顶面。特别来说，栅极堆叠结构的顶角区域被第一绝缘层与第二绝缘层覆盖，而可防止工艺中所产生的带电离子进入栅极堆叠结构。因此，可提高存储器元件的可靠度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明一些实施例的流程图；

图2A至图2K是图1所示的存储器元件的制造方法的各阶段的结构的剖视示意图；

图3是依照本发明另一些实施例的剖视示意图。

具体实施方式