[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010856135.3 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112447629A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 吴仲融;董志航;邵栋梁;萧胜聪;王仁佑 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/473;H01L21/50 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括封装件及冷却盖。封装件包括第一管芯，第一管芯具有有源表面及与有源表面相对的后表面。后表面具有冷却区及封闭冷却区的外围区。第一管芯包括位于后表面的冷却区中的微沟槽。冷却盖堆叠在第一管芯上。冷却盖包括位于冷却区之上且与微沟槽连通的流体入口端口及流体出口端口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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