[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010856135.3 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112447629A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 吴仲融;董志航;邵栋梁;萧胜聪;王仁佑 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/473;H01L21/50 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
封装件，包括第一管芯，所述第一管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面，其中所述后表面具有冷却区及封闭所述冷却区的外围区，且所述第一管芯包括位于所述后表面的所述冷却区中的多个微沟槽；以及
冷却盖，堆叠在所述第一管芯上，其中所述冷却盖包括位于所述冷却区之上且与所述多个微沟槽连通的流体入口端口及流体出口端口。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述外围区之上的密封环，其中所述密封环密封所述冷却盖与所述多个微沟槽之间的空间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括螺钉，其中所述冷却盖通过所述螺钉固定到所述封装件。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括夹具，其中所述冷却盖通过所述夹具固定到所述封装件。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述封装件还包括位于所述第一管芯旁边的第二管芯，所述半导体器件还包括位于所述第二管芯与所述冷却盖之间的散热层，且所述散热层包含热界面材料(TIM)。
6.一种半导体器件，包括：
封装件，包括：
衬底；
中介层，设置在所述衬底之上且电连接到所述衬底；以及
管芯，设置在所述中介层之上且电连接到所述中介层，其中所述管芯在所述管芯的与所述中介层相对的上部表面上包括连续环图案及被所述连续环图案封闭的多个不连续图案；以及
冷却盖，堆叠在所述管芯上，其中所述冷却盖包括位于所述多个不连续图案之上的流体入口端口及流体出口端口。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述多个不连续图案包括彼此平行的多个条带形图案，且所述多个条带形图案连接到所述连续环图案。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述多个不连续图案排列成阵列且与所述连续环图案间隔开。
9.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供管芯，所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面，其中所述后表面具有冷却区及封闭所述冷却区的外围区；
在所述后表面的所述冷却区中形成多个微沟槽；
将所述管芯放置在中介层上，以使得所述管芯的所述有源表面面向所述中介层；
将所述中介层放置在衬底上；以及
将冷却盖贴合到所述管芯的所述后表面，其中所述冷却盖包括位于所述冷却区之上且与所述多个微沟槽连通的流体入口端口及流体出口端口。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中通过刻蚀工艺形成所述多个微沟槽。
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