[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

一种半导体器件包括封装件及冷却盖。封装件包括第一管芯，第一管芯具有有源表面及与有源表面相对的后表面。后表面具有冷却区及封闭冷却区的外围区。第一管芯包括位于后表面的冷却区中的微沟槽。冷却盖堆叠在第一管芯上。冷却盖包括位于冷却区之上且与微沟槽连通的流体入口端口及流体出口端口。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着电子产品不断小型化，封装管芯的散热(heat dissipation)已成为封装技术的重要问题。另外，对于多管芯封装来说，管芯的排列已影响到管芯之间的数据传输速度及封装产品的可靠性。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供一种半导体器件。所述半导体器件包括封装件及冷却盖。封装件包括第一管芯，第一管芯具有有源表面及与有源表面相对的后表面。后表面具有冷却区及封闭冷却区的外围区。第一管芯包括位于后表面的冷却区中的多个微沟槽。冷却盖堆叠在第一管芯上。冷却盖包括位于冷却区之上且与多个微沟槽连通的流体入口端口及流体出口端口。

根据本发明的一些实施例，提供一种半导体器件。所述半导体器件包括封装件及冷却盖。封装件包括衬底、中介层及管芯。中介层设置在衬底之上且电连接到衬底。管芯设置在中介层之上且电连接到中介层。管芯在管芯的与中介层相对的上部表面上包括连续环图案及被连续环图案封闭的多个不连续图案。冷却盖堆叠在管芯上。冷却盖包括位于多个不连续图案之上的流体入口端口及流体出口端口。

根据本发明的一些实施例，提供一种半导体器件的制造方法。所述方法包括至少以下步骤。提供管芯。管芯具有有源表面及与有源表面相对的后表面。后表面具有冷却区及封闭冷却区的外围区。在后表面的冷却区中形成多个微沟槽。将管芯放置在中介层上，以使得管芯的有源表面面向中介层。将中介层放置在衬底上。将冷却盖贴合到管芯的后表面。冷却盖包括位于冷却区之上且与多个微沟槽连通的流体入口端口及流体出口端口。

附图说明

将附图包括在内以提供对本公开内容的进一步理解且将附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。图式示出本公开的示例性实施例，且与说明一起用于解释本公开内容的原理。

图1A到图1F是示出根据本公开一些实施例的在封装件的制造方法的各个阶段所形成的结构的示意性剖视图。

图2A及图2B分别是根据本公开一些实施例的管芯的示意性俯视图。

图3A到图3C分别是根据本公开一些实施例的微柱的示意性俯视图。

图4A及图4B分别是根据本公开一些实施例的管芯的示意性剖视图。

图5A及图5B分别是根据本公开一些实施例的管芯的示意性剖视图。

图6A及图6B分别是根据本公开一些实施例的管芯的示意性剖视图。

图7A是根据本公开一些实施例的管芯的示意性俯视图。

图7B到图7D分别是根据本公开一些实施例的管芯的示意性剖视图。

图8A是示出根据本公开一些实施例的半导体器件的示意性剖视图。

图8B是根据本公开一些实施例的在使用中的半导体器件的示意性剖视图。

图8C是根据本公开一些实施例的在使用中的半导体器件的示意性俯视图。

图9A是根据本公开一些实施例的半导体器件的示意性剖视图。

图9B是根据本公开一些实施例的半导体器件的示意性侧视图。

图9C是根据本公开一些实施例的半导体器件的示意性侧视图。

图10A到图10D分别是根据本公开一些实施例的冷却盖的示意性立体图。