[发明专利]一种堆叠MOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010845669.6 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112151616B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 刘金彪;张青竹;殷华湘;李俊峰;王垚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种堆叠MOS器件及其制备方法。一种堆叠MOS器件，包括半导体衬底，在所述半导体衬底表面由下至上依次堆叠有多个PN结构；每个所述PN结构包括：氧化硅层，设置于所述氧化硅层上表面的源区、漏区、沟道区，所述沟道区设置在所述源区和所述漏区之间，并且沟道区与所述氧化硅层的边界线低于所述源区与所述氧化硅层的边界线，也低于所述漏区与所述氧化硅层的边界线；并且位于顶部的所述PN结构的沟道区表面依次设有绝缘层、栅极。本发明通过增加导电沟道的数量以及特定的结构设计来增加饱和电流，还减少了漏电现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 mos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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