[发明专利]一种堆叠MOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010845669.6 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112151616B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 刘金彪;张青竹;殷华湘;李俊峰;王垚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 mos 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种堆叠MOS器件，其特征在于，包括半导体衬底，在所述半导体衬底表面由下至上依次堆叠有多个PN结构，所述多个PN结构中的沟道区的掺杂浓度由下至上递增；
每个所述PN结构包括：
氧化硅层，
设置于所述氧化硅层上表面的源区、漏区、沟道区，所述沟道区设置在所述源区和所述漏区之间，并且沟道区与所述氧化硅层的边界线低于所述源区与所述氧化硅层的边界线，也低于所述漏区与所述氧化硅层的边界线；
并且位于顶部的所述PN结构的沟道区表面依次设有绝缘层、栅极。
2.根据权利要求1所述的堆叠MOS器件，其特征在于，在所述半导体衬底表面由下至上依次堆叠有至少3个PN结构。
3.根据权利要求1所述的堆叠MOS器件，其特征在于，所述PN结构中，所述源区和所述漏区为N型掺杂的硅层，所述沟道区为P型掺杂的硅层。
4.根据权利要求1所述的堆叠MOS器件，其特征在于，所述PN结构中，所述源区和所述漏区为P型掺杂的硅层，所述沟道区为N型掺杂的硅层。
5.根据权利要求1所述的堆叠MOS器件，其特征在于，所述绝缘层为氧化硅，所述半导体衬底为硅衬底。
6.一种堆叠MOS器件的制备方法，其特征在于，包括：
步骤A：在半导体衬底上沉积氧化硅层；
步骤B：在所述氧化硅表面沉积硅层，向所述硅层的左右两侧的内部分别注入氧等离子体，然后向所述硅层的左右两侧的表面注入N型或P型掺杂，分别形成源区、漏区；
步骤C：向所述硅层剩余中间部分注入与左右两侧相反的掺杂，形成沟道区；
步骤D：至少重复所述沉积氧化硅层和所述步骤B和所述步骤C一次；每次重复所述步骤C时的掺杂浓度高于前一次步骤C的掺杂浓度；
步骤E：在最后形成的沟道区上依次沉积绝缘层、栅极。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述源区和所述漏区为N型掺杂，所述沟道区为P型掺杂。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述源区和所述漏区为P型掺杂，所述沟道区为N型掺杂。
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