[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202010825697.1 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN112447850A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 杨建勋;林含谕;陈俊佑;王志庆;李芳苇;林执中;林立德;张广兴;林斌彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开描述用于形成包绕式栅极装置的技术，其中通过蚀刻交替地垂直堆叠在半导体层之间的缓冲层以释出半导体层。不同垂直高度堆叠的缓冲层包括不同的材料组成，相对于用于至少部分地去除缓冲层以释出半导体层的蚀刻剂，其产生不同的蚀刻速率。本公开还提供一种半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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