[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202010825697.1 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN112447850A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 杨建勋;林含谕;陈俊佑;王志庆;李芳苇;林执中;林立德;张广兴;林斌彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，包括：
一基板；
一半导体条的垂直堆叠，于该基板上，该半导体条的垂直堆叠包括一第一半导体材料的一第一半导体条及该第一半导体材料的一第二半导体条，该第二半导体条在垂直方向上与该第一半导体条分离；
一栅极结构，邻近该第一半导体条的一第一部分及该第二半导体条的一第一部分；以及
一源极/漏极结构，接触该第一半导体条的一第二部分及该第二半导体条的一第二部分；
其中该第一半导体条的厚度不同于该第二半导体条的厚度。
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