[发明专利]去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法

摘要

本申请提供了一种去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池制备技术领域。该去除多晶硅绕镀的方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底的第一表面形成有氧化层、掺杂多晶硅层和PSG层，半导体衬底的第二表面形成有扩散层、BSG层、因绕镀而产生的绕镀多晶硅层和PSG层；去除第二表面的PSG层；将半导体衬底浸入碱溶液中，去除部分因绕镀而产生的绕镀多晶硅层；将半导体衬底的第二表面置于酸溶液中，去除其余部分因绕镀而产生的绕镀多晶硅层；去除第一表面的PSG层和第二表面的BSG层。本发明能够提高良率，保证电池片具有较高的效率，而且工艺简单，成本较低。