[发明专利]去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法

说明书

本申请提供了一种去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池制备技术领域。该去除多晶硅绕镀的方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底的第一表面形成有氧化层、掺杂多晶硅层和PSG层，半导体衬底的第二表面形成有扩散层、BSG层、因绕镀而产生的绕镀多晶硅层和PSG层；去除第二表面的PSG层；将半导体衬底浸入碱溶液中，去除部分因绕镀而产生的绕镀多晶硅层；将半导体衬底的第二表面置于酸溶液中，去除其余部分因绕镀而产生的绕镀多晶硅层；去除第一表面的PSG层和第二表面的BSG层。本发明能够提高良率，保证电池片具有较高的效率，而且工艺简单，成本较低。

技术领域

本申请涉及太阳能电池制备技术领域，尤其涉及一种去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法。

背景技术

TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)电池采用了钝化接触技术，其背面由隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组成钝化接触结构，具有高效率、长寿命和弱光响应好等优点。其中，氧化层能够对载流子选择性传输，起到较好的钝化作用，同时允许少子通过，有效减小金属化区域的复合，可极大程度上提高该结构电池的开路电压和填充因子，进而提升太阳能电池的转换效率。

然而，现有的TOPCon电池的制作流程还存在一些问题，例如，背面隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的制作会存在严重绕镀，导致硅片正面也会镀上多晶硅，影响外观与效率，影响电池量产良率。因此，有效地去除电池制备过程中产生的绕镀多晶硅能够有效提升电池量产良率，提升电池的转换效率。

发明内容

本申请的目的在于提供一种去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法，能够提高良率，保证电池片具有较高的效率，而且工艺简单，成本较低。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案为：

根据本申请的一个方面，本申请提供一种去除多晶硅绕镀的方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底的第一表面形成有氧化层、掺杂多晶硅层和PSG层，所述半导体衬底的第二表面形成有扩散层、BSG层、因绕镀而产生的绕镀多晶硅层和PSG层；

去除所述第二表面的PSG层；

将所述半导体衬底浸入碱溶液中，去除部分所述因绕镀而产生的绕镀多晶硅层；

将所述半导体衬底的第二表面置于酸溶液中，去除其余部分所述因绕镀而产生的绕镀多晶硅层；

去除所述第一表面的PSG层和所述第二表面的BSG层。

在一种可能的实现方式中，去除所述第二表面的PSG层包括：

将所述半导体衬底的所述第二表面置于体积浓度为1％-20％的HF溶液中5s-120s，去除所述第二表面的PSG层。

在一种可能的实现方式中，所述碱溶液包括碱基础溶液和添加剂，所述添加剂与所述碱基础溶液的质量比为1：(35-50)。

在一种可能的实现方式中，所述碱基础溶液为质量浓度为5％-30％的KOH溶液、NaOH溶液或NH4OH溶液；

或者，所述碱基础溶液为质量浓度为5％-30％的KOH溶液、NaOH溶液和NH4OH溶液中的任意两种或三种所组成的混合溶液。

在一种可能的实现方式中，所述酸溶液包括质量浓度为0.5％-10％的HF溶液与质量浓度为30％-70％的HNO3溶液的混合溶液。

在一种可能的实现方式中，将所述半导体衬底浸入碱溶液中的时间为30s-300s，碱溶液的温度控制在40℃-85℃；

和/或，将所述半导体衬底的第二表面置于酸溶液中的时间为5s-60s，酸溶液的温度控制在6-15℃。