[发明专利]去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种去除多晶硅绕镀的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底的第一表面形成有氧化层、掺杂多晶硅层和PSG层，所述半导体衬底的第二表面形成有扩散层、BSG层、因绕镀而产生的绕镀多晶硅层和PSG层；

去除所述第二表面的PSG层；

将所述半导体衬底浸入碱溶液中，去除部分所述因绕镀而产生的绕镀多晶硅层；

将所述半导体衬底的第二表面置于酸溶液中，去除其余部分所述因绕镀而产生的绕镀多晶硅层；

去除所述第一表面的PSG层和所述第二表面的BSG层；

去除所述第二表面的PSG层包括：

将所述半导体衬底的所述第二表面置于体积浓度为1％-20％的HF溶液中5s-120s，去除所述第二表面的PSG层；

所述碱溶液包括碱基础溶液和添加剂，所述添加剂与所述碱基础溶液的质量比为1：(35-50)。

2.根据权利要求1所述的去除多晶硅绕镀的方法，其特征在于，所述碱基础溶液为质量浓度为5％-30％的KOH溶液、NaOH溶液或NH₄OH溶液；

或者，所述碱基础溶液为质量浓度为5％-30％的KOH溶液、NaOH溶液和NH₄OH溶液中的任意两种或三种所组成的混合溶液。

3.根据权利要求1所述的去除多晶硅绕镀的方法，其特征在于，所述酸溶液包括质量浓度为0.5％-10％的HF溶液与质量浓度为30％-70％的HNO₃溶液的混合溶液。

4.根据权利要求1所述的去除多晶硅绕镀的方法，其特征在于，将所述半导体衬底浸入碱溶液中的时间为30s-300s，碱溶液的温度控制在40℃-85℃；

和/或，将所述半导体衬底的第二表面置于酸溶液中的时间为5s-60s，酸溶液的温度控制在6-15℃。

5.根据权利要求1-4任一项所述的去除多晶硅绕镀的方法，其特征在于，在将所述半导体衬底的第二表面置于酸溶液中，去除其余部分所述因绕镀而产生的绕镀多晶硅层之后，还包括：

将所述半导体衬底置于KOH溶液中，去除残留的酸溶液；

相应的，在将所述半导体衬底置于KOH溶液中，去除残留的酸溶液之后，再去除所述第一表面的PSG层和所述第二表面的BSG层。

6.根据权利要求1-4任一项所述的去除多晶硅绕镀的方法，其特征在于，去除所述第一表面的PSG层和所述第二表面的BSG层包括：

将所述半导体衬底置于体积浓度为1％-20％的HF溶液、HCl溶液或HF-HCl混合溶液中，去除第一表面的PSG层和所述第二表面的BSG层。

7.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制绒、硼扩散、刻蚀、制备氧化层和多晶硅层、磷扩散、去绕镀、钝化和金属化；

其中，所述去绕镀采用权利要求1-6任一项所述的去除多晶硅绕镀的方法。

8.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池采用权利要求7所述的太阳能电池的制备方法制备得到。