[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010810940.2 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113284937A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 宫田俊敬 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体区域、绝缘部、第1区域(源极)、第2区域(漏极)、控制电极(栅极电极)、第1电极、及第1绝缘膜。半导体区域包括第1表面，具有第1导电型。绝缘部形成于半导体区域，具有较第1表面沿半导体区域的深度方向后退的第2表面。第1区域位于绝缘部的第1部分与绝缘部的第2部分之间且设于半导体区域上。第2区域位于第1部分与第2部分之间，与第1区域分开，且设于半导体区域上。控制电极设于第1表面上方，位于第1区域与第2区域之间。第1电极设于第1区域之上，与第1区域相接。第1绝缘膜设于第1表面与第2表面之间的阶差部的半导体区域的侧壁。第1绝缘膜为包含铪的绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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