[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于具有：

第1导电型的半导体区域，包含第1表面；

绝缘部，形成于所述半导体区域，具有较所述第1表面沿所述半导体区域的深度方向后退的第2表面；

第1区域，位于所述绝缘部的第1部分与所述绝缘部的第2部分之间，且设于所述半导体区域上；

第2区域，位于所述第1部分与所述第2部分之间，与所述第1区域分开，且设于所述半导体区域上；

控制电极，设于所述第1表面上方，位于所述第1区域与所述第2区域之间；

第1电极，设于所述第1区域之上，与所述第1区域相接；以及

第1绝缘膜，设于所述第1表面与所述第2表面之间的阶差部的所述半导体区域的侧壁；且

所述第1绝缘膜为包含铪的绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于进而具有：位于所述控制电极两端的侧壁的第2绝缘膜。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1绝缘膜及所述第2绝缘膜包含铪及氧。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第1绝缘膜及所述第2绝缘膜包含选自氧化铪、硅氧化铪、及氮氧硅化铪的群中的任一不同的材料。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1绝缘膜及所述第2绝缘膜的厚度为2nm以上20nm以下。

6.根据权利要求2所述半导体装置，其特征在于：所述第1表面至所述第2表面的深度方向的长度为2nm以上20nm以下。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于更具备：依序积层于所述控制电极的侧壁的氧化硅膜及氮化硅膜，所述第2绝缘膜积层于所述控制电极的侧壁上所积层的所述氮化硅膜上。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1电极是接于所述绝缘部与所述第1区域的界面而设置。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1电极是跨及所述绝缘部及所述第1区域而设置。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述控制电极、所述第1区域及所述第2区域具备硅化物区域。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于：所述硅化物区域包含选自钴、钨、钛、及镍的群中的任一不同的元素。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：

在第1导电型的半导体区域的第1表面形成绝缘部，

在由所述绝缘部包围的所述半导体区域的上方介隔栅极氧化膜形成栅极电极，

在所述栅极电极两端的所述第1表面形成与所述第1导电型为相反导电型的源极区域及漏极区域，

经由蚀刻所述绝缘部，形成较所述第1表面沿所述半导体区域的深度方向后退的第2表面，

在所述第1表面与所述第2表面之间的阶差部的所述半导体区域的侧壁形成包含铪的第1侧壁绝缘膜，在所述栅极电极两端的侧壁形成包含铪的第2侧壁绝缘膜，

形成层间绝缘膜，

在所述层间绝缘膜形成接触孔，以及

在所述接触孔内形成与所述源极区域连接的源极电极。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述第1侧壁绝缘膜及所述第2侧壁绝缘膜包含选自氧化铪、硅氧化铪、及氮氧硅化铪的群中的任一不同的材料。

14.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述接触孔是与所述绝缘部与所述源极区域的界面相接而形成。