[发明专利]集成芯片及形成其的方法在审
| 申请号： | 202010800249.6 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113054003A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈高超;何嘉政;刘铭棋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成芯片包括上覆在隔离结构上的场板。栅极电极在源极区与漏极区之间上覆在衬底上。蚀刻停止层在侧向上从栅极电极的上表面延伸到衬底的前侧。蚀刻停止层上覆在设置在源极区与漏极区之间的漂移区上。场板设置在第一层间介电(ILD)层内，第一层间介电层上覆在衬底上。场板从第一ILD层的顶表面延伸到蚀刻停止层的上表面。隔离结构设置在衬底内且从衬底的前侧延伸到位于衬底的前侧下方的点。隔离结构在侧向上设置在栅极电极与漏极区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 形成 方法 | ||
【主权项】：
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