[发明专利]集成芯片及形成其的方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

栅极电极，在源极区与漏极区之间上覆在衬底上；

蚀刻停止层，在侧向上从所述栅极电极的上表面延伸到所述衬底的前侧，其中所述蚀刻停止层上覆在设置在所述源极区与所述漏极区之间的漂移区上；

场板，设置在第一层间介电层内，所述第一层间介电层上覆在所述衬底上，其中所述场板从所述第一层间介电层的顶表面延伸到所述蚀刻停止层的上表面；以及

隔离结构，设置在所述衬底内且从所述衬底的所述前侧延伸到位于所述衬底的所述前侧下方的点，其中所述隔离结构在侧向上设置在所述栅极电极与所述漏极区之间，且其中所述场板上覆在所述隔离结构上。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述隔离结构包含第一材料且所述衬底包含与所述第一材料不同的第二材料。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述栅极电极包含第一导电材料，且所述场板包含与所述第一导电材料不同的第二导电材料。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

多个接触件，设置在所述第一层间介电层内且上覆在所述衬底上，其中所述多个接触件的顶表面与所述场板的顶表面对齐。

5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述场板包括：

第一场板结构，从所述第一层间介电层的所述顶表面延伸到所述蚀刻停止层的所述上表面；以及

第二场板结构，从所述第一层间介电层的所述顶表面延伸到所述蚀刻停止层的所述上表面，其中所述第二场板结构在侧向上与所述第一场板结构偏移开非零距离，且其中所述第二场板结构的至少一部分直接上覆在所述隔离结构上。

6.一种集成芯片，包括：

第一侧向扩散金属氧化物半导体场效晶体管器件，包括上覆在衬底上的第一栅极结构，其中所述第一侧向扩散金属氧化物半导体场效晶体管器件还包括设置在所述衬底内的第一源极区及第一漂移区；

第二侧向扩散金属氧化物半导体场效晶体管器件，包括第二栅极结构、第二源极区及第二漂移区；

漏极区，设置在所述第一侧向扩散金属氧化物半导体场效晶体管器件与所述第二侧向扩散金属氧化物半导体场效晶体管器件之间，其中所述第一漂移区设置在所述第一源极区与所述漏极区之间，且其中所述第二漂移区设置在所述第二源极区与所述漏极区之间；

第一场板，在侧向上在所述漏极区与所述第一栅极结构之间间隔开；以及

第一隔离结构，设置在所述衬底内，其中所述第一隔离结构在侧向上在所述漏极区与所述第一源极区之间间隔开，其中所述第一场板的第一边缘直接上覆在所述第一隔离结构上，且在朝向所述第一栅极结构的方向上，所述第一场板的第二边缘在侧向上与所述第一隔离结构偏移开非零距离。

7.根据权利要求6所述的集成芯片，还包括：

第二场板，在侧向上在所述漏极区与所述第二栅极结构之间间隔开；以及

第二隔离结构，设置在所述衬底内，其中所述第二隔离结构在侧向上在所述漏极区与所述第二源极区之间间隔开，其中所述第二场板的第一边缘直接上覆在所述第二隔离结构上。

8.根据权利要求6所述的集成芯片，其中所述第一隔离结构的下表面在垂直方向上设置在所述漏极区的下表面下方。

9.一种形成集成芯片的方法，包括：

在衬底内形成隔离结构，其中所述隔离结构包含介电材料且所述衬底包含与所述介电材料不同的衬底材料；

执行植入工艺，以在所述衬底内形成漂移区，其中所述漂移区贴靠所述隔离结构；

在所述衬底之上形成栅极结构，其中所述栅极结构至少局部地上覆在所述漂移区上；

执行植入工艺，以在所述衬底内形成源极区及漏极区，其中所述漂移区在侧向上设置在所述源极区与所述漏极区之间；

在所述衬底之上形成第一层间介电层；以及

在所述漂移区之上及在所述第一层间介电层内形成场板，其中所述场板的至少一部分直接上覆在所述隔离结构上。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

形成位于所述第一层间介电层内且上覆在所述衬底上的多个接触件，其中所述接触件是与所述场板同时形成。