[发明专利]集成芯片及形成其的方法

说明书

一种集成芯片包括上覆在隔离结构上的场板。栅极电极在源极区与漏极区之间上覆在衬底上。蚀刻停止层在侧向上从栅极电极的上表面延伸到衬底的前侧。蚀刻停止层上覆在设置在源极区与漏极区之间的漂移区上。场板设置在第一层间介电(ILD)层内，第一层间介电层上覆在衬底上。场板从第一ILD层的顶表面延伸到蚀刻停止层的上表面。隔离结构设置在衬底内且从衬底的前侧延伸到位于衬底的前侧下方的点。隔离结构在侧向上设置在栅极电极与漏极区之间。

技术领域

本发明实施例涉及一种集成芯片及形成其的方法。

背景技术

现今的集成芯片(integrated chip，IC)包括数百万或数十亿个形成在半导体衬底(例如，硅)上的半导体器件。视集成芯片(IC)的应用而定，集成芯片可使用许多不同类型的晶体管器件。近年来，移动器件(cellular device)及射频(radio frequency，RF)器件市场日益增大已导致对高电压晶体管(high voltage transistor)器件的使用显著增加。举例来说，由于高电压晶体管器件能够应付高击穿电压(例如，大于约50伏特(Volt，V))及高频，因此它们往往用在RF发射/接收链中的功率放大器中。

发明内容

本发明实施例的一种集成芯片包括：栅极电极，在源极区与漏极区之间上覆在衬底上；蚀刻停止层，在侧向上从所述栅极电极的上表面延伸到所述衬底的前侧，其中所述蚀刻停止层上覆在设置在所述源极区与所述漏极区之间的漂移区上；场板，设置在第一层间介电(ILD)层内，所述第一ILD层上覆在所述衬底上，其中所述场板从所述第一ILD层的顶表面延伸到所述蚀刻停止层的上表面；以及隔离结构，设置在所述衬底内且从所述衬底的所述前侧延伸到位于所述衬底的所述前侧下方的点，其中所述隔离结构在侧向上设置在所述栅极电极与所述漏极区之间，且其中所述场板上覆在所述隔离结构上。

本发明实施例的一种集成芯片包括：第一侧向扩散金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)(LDMOS)器件，包括上覆在衬底上的第一栅极结构，其中所述第一LDMOS器件还包括设置在所述衬底内的第一源极区及第一漂移区；第二LDMOS器件，包括第二栅极结构、第二源极区及第二漂移区；漏极区，设置在所述第一LDMOS器件与所述第二LDMOS器件之间，其中所述第一漂移区设置在所述第一源极区与所述漏极区之间，且其中所述第二漂移区设置在所述第二源极区与所述漏极区之间；第一场板，在侧向上在所述漏极区与所述第一栅极结构之间间隔开；以及第一隔离结构，设置在所述衬底内，其中所述第一隔离结构在侧向上在所述漏极区与所述第一源极区之间间隔开，其中所述第一场板的第一边缘直接上覆在所述第一隔离结构上，且在朝向所述第一栅极结构的方向上，所述第一场板的第二边缘在侧向上与所述第一隔离结构偏移开非零距离。

本发明实施例的一种形成集成芯片的方法包括：在衬底内形成隔离结构，其中所述隔离结构包含介电材料且所述衬底包含与所述介电材料不同的衬底材料；执行植入工艺，以在所述衬底内形成漂移区，其中所述漂移区贴靠所述隔离结构；在所述衬底之上形成栅极结构，其中所述栅极结构至少局部地上覆在所述漂移区上；执行植入工艺，以在所述衬底内形成源极区及漏极区，其中所述漂移区在侧向上设置在所述源极区与所述漏极区之间；在所述衬底之上形成第一层间介电(ILD)层；以及在所述漂移区之上及在所述ILD层内形成场板，其中所述场板的至少一部分直接上覆在所述隔离结构上。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出具有位于掩埋隔离结构之上的场板(field plate)的高电压晶体管器件的一些实施例的剖视图。

图2示出图1所示高电压晶体管的一些替代实施例的剖视图。