[发明专利]对集成电路进行ESD防护的方法在审
| 申请号： | 202010786981.2 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111900158A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 顾大元;胡忠伟;韩玲玲;乔畅君;孙可平 | 申请（专利权）人： | 深圳市中明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G01R31/00;G01R31/40 |
| 代理公司： | 北京卫智畅科专利代理事务所(普通合伙) 11557 | 代理人： | 陈佳 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市宝安区福永*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种对集成电路进行ESD防护的方法，所述ESD防护的方法包括选用一ESD失效模型对各个类型的电源隔离结构分别进行ESD失效试验失效电压；根据ESD失效试验结果获得ESD失效与电源系统分布电容的相关性；基于所述ESD失效与电源系统分布电容的相关性，对所述集成电路中的电源隔离结构进行结构设计；利用设计后的电源隔离结构对所述集成电路进行ESD防护。本发明通过对集成电路中电源隔离结构进行ESD失效试验获得ESD失效与电源系统分布电容的相关性，进而对电源隔离结构进行结构的改进设计，以提升电源隔离结构对于集成电路的电源隔离性能，有效避免ESD对集成电路造成的损伤，提升了静电防护性能。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 进行 esd 防护 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
