[发明专利]用于静电防护的晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202010783760.X | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112002692B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 陆阳;王炜槐;韩广涛 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李镇江 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及静电防护领域，提供了一种用于静电防护的晶体管及其制造方法，通过在衬底上形成P型阱区和与该P型阱区相连的N型阱区，利用间隔设置的多个场氧区和栅极结构进行离子注入以依次形成位于P型阱区的第一P型区和第一N型区，以及位于N型阱区的第二N型区和第三N型区，再通过分布在第一P型区、第一N型区和栅极结构上的金属硅化物层电连接引出作为该晶体管的阴极，以及将位于第三N型区上的金属硅化物层引出作为该晶体管的阳极。其相较于现有技术，将晶体管的漏端结构进行新的调整，省去金属硅化物阻挡层这一掩模版，节省了制造成本，并将尺寸有所减小，同时还能达到相同的ESD电流泄放能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静电 防护 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰华特微电子股份有限公司，未经杰华特微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010783760.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
