[发明专利]用于静电防护的晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种用于静电防护的晶体管，包括：

位于衬底中的P型阱区和N型阱区，且所述P型阱区与所述N型阱区连接；

所述P型阱区上依次间隔设置的第一P型区、第一N型区和栅极结构，所述栅极结构包括在所述衬底上依次堆叠的栅氧化层和多晶硅层；

所述N型阱区上依次间隔设置的第二N型区和第三N型区，所述第二N型区横跨在所述N型阱区与所述P型阱区的交界处，且所述第一N型区和所述第二N型区位于所述栅极结构的两侧；

金属硅化物层，位于所述衬底上，分布在所述第一P型区、第一N型区、栅极结构、第二N型区和第三N型区的上表面，

其中，位于所述第一P型区、第一N型区和栅极结构上的金属硅化物层电连接在一起并作为所述晶体管的阴极；

位于所述第三N型区上的金属硅化物层引出作为所述晶体管的阳极，

并且，所述阳极为静电进入端，所述阴极为对地端。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，还包括：

多个场氧区，间隔设置在所述衬底上，所述多个场氧区分布在所述第一P型区和所述第三N型区的两侧，并将所述第一P型区和第一N型区、所述第二N型区和第三N型区隔离开。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述晶体管具有从所述阳极经所述第三N型区由所述N型阱区到所述第二N型区的静电电流的泄放路径。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述衬底为P型衬底。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述的晶体管为场效应晶体管。

6.一种用于静电防护的晶体管的制造方法，包括：

在衬底上依次进行离子注入形成P型阱区和N型阱区，且形成的所述P型阱区与所述N型阱区连接；

在所述衬底上形成多个间隔设置的场氧区，多个所述场氧区依次定义出位于所述P型阱区的源端区域和栅端区域，以及位于所述N型阱区的漏端区域：

在所述衬底上的栅端区域依次沉积栅氧化层和多晶硅层，形成栅极结构，并蚀刻该栅极结构的两侧定义出第一注入区和第二注入区，使所述第二注入区横跨在所述N型阱区与所述P型阱区的交界处；

在所述源端区域和所述第一注入区依次进行离子注入以形成第一P型区和第一N型区；

在所述第二注入区和所述漏端区域依次进行离子注入以形成第二N型区和第三N型区；

在所述衬底上形成金属硅化物层，形成的所述金属硅化物层分布在所述第一P型区、第一N型区、栅极结构、第二N型区和第三N型区的上表面。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，在所述衬底上形成金属硅化物层后还包括：

将位于所述第一P型区、第一N型区和栅极结构上的金属硅化物层电连接引出作为所述晶体管的阴极；

将位于所述第三N型区上的金属硅化物层引出作为所述晶体管的阳极。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，形成的所述晶体管为场效应晶体管。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述制造方法形成了静电电流从所述阳极经所述第三N型区由所述N型阱区到所述第二N型区的泄放路径。