[发明专利]保护部件形成方法和保护部件形成装置在审
| 申请号： | 202010782702.5 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112349606A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 柿沼良典 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供保护部件形成方法和保护部件形成装置，在正面具有凹凸的基板的正面上形成包含硬化的液状树脂的保护部件时，抑制液状树脂的不均的产生。在正面具有凹凸的基板的正面上形成保护部件的保护部件形成方法具有如下的步骤：树脂膜密接步骤，利用树脂膜覆盖基板的正面，使树脂膜以仿照基板的正面的凹凸的方式与基板密接；液状树脂提供步骤，向与基板密接的树脂膜的上表面的与基板重叠的区域提供能够硬化的液状树脂；按压步骤，隔着覆盖膜而利用平坦的按压面按压液状树脂，使液状树脂在树脂膜上扩展；以及硬化步骤，使在按压步骤中在树脂膜上扩展的液状树脂硬化，从而在基板的正面上形成包含树脂膜、硬化后的液状树脂以及覆盖膜的保护部件。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 部件 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010782702.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
