[发明专利]晶圆处理装置有效
| 申请号： | 202010782174.3 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN111916340B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 黄欣欣;许芷萍;董坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置包括：处理腔室，具有容纳晶圆的晶舟，且所述晶舟沿所述处理腔室的轴向方向延伸；注入管，位于所述处理腔室内且沿所述处理腔室的轴向方向延伸，所述注入管的侧壁具有沿所述注入管的轴向方向间隔排布的多个喷孔，处理气体经所述喷孔传输至所述处理腔室；所述注入管中具有多个所述喷孔的区域沿与所述处理腔室的轴向垂直的方向上的投影至少覆盖所述晶舟沿与所述处理腔室的轴向垂直的方向上的投影，以提高所述晶舟内部气体分布的均匀性。本发明提高了处理气体在晶舟内部分布的均匀性，从而增加了所述晶舟能够同时处理的晶圆数量，提高了机台产能，并改善了晶圆处理效果。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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