[发明专利]晶圆处理装置

说明书

本发明涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置包括：处理腔室，具有容纳晶圆的晶舟，且所述晶舟沿所述处理腔室的轴向方向延伸；注入管，位于所述处理腔室内且沿所述处理腔室的轴向方向延伸，所述注入管的侧壁具有沿所述注入管的轴向方向间隔排布的多个喷孔，处理气体经所述喷孔传输至所述处理腔室；所述注入管中具有多个所述喷孔的区域沿与所述处理腔室的轴向垂直的方向上的投影至少覆盖所述晶舟沿与所述处理腔室的轴向垂直的方向上的投影，以提高所述晶舟内部气体分布的均匀性。本发明提高了处理气体在晶舟内部分布的均匀性，从而增加了所述晶舟能够同时处理的晶圆数量，提高了机台产能，并改善了晶圆处理效果。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

3D NAND存储器是一种从二维到三维通过堆叠技术而形成的存储器。随着集成电路生成工艺的成熟化，3D NAND存储器对各层生成工艺的成本和工艺性能要求越来越高，尤其是对其制程工艺的要求。在3D NAND存储器的制程工艺中，不仅要求生长出高质量的CMOS栅极、具有较佳覆盖性能的沟道功能层结构，还需要充分利用每台机台的产能，在保证质量的基础上，将生产成本最小化。

但是，当前由于机台结构的限制，导致晶圆的处理效率不高，从而降低了机台产能，间接增加了3D NAND存储器等半导体产品的生产成本。

发明内容

本发明提供一种晶圆处理装置，用于解决现有的晶圆处理装置在处理晶圆的过程中效率较低、处理效果不佳的问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种晶圆处理装置，包括：

处理腔室，具有容纳晶圆的晶舟，且所述晶舟沿所述处理腔室的轴向方向延伸；

注入管，位于所述处理腔室内且沿所述处理腔室的轴向方向延伸，所述注入管的侧壁具有沿所述注入管的轴向方向间隔排布的多个喷孔，处理气体经所述喷孔传输至所述处理腔室；

所述注入管中具有多个所述喷孔的区域沿与所述处理腔室的轴向垂直的方向上的投影至少覆盖所述晶舟沿与所述处理腔室的轴向垂直的方向上的投影，以提高所述晶舟内部气体分布的均匀性。

可选的，所述注入管为直管，且所述注入管自所述处理腔室的底部延伸至所述处理腔室的顶部。

可选的，多个所述喷孔沿所述注入管的轴向方向等间隔排布。

可选的，在沿所述处理腔室的底部指向所述处理腔室的顶部的方向上，所述注入管上的多个所述喷孔的孔径逐渐增大。

可选的，在沿所述处理腔室的底部指向所述处理腔室的顶部的方向上，所述注入管上相邻所述喷孔之间的间隔逐渐减小。

可选的，所述注入管上所有所述喷孔的孔径均相同；或者，

在沿所述处理腔室的底部指向所述处理腔室的顶部的方向上，所述注入管上的多个所述喷孔的孔径逐渐增大。

可选的，所述晶舟内具有用于承载晶圆、且沿所述晶舟的轴向方向排布的多条晶圆槽；

一条所述晶圆槽至少与所述注入管上一个所述喷孔的位置对应。

可选的，所述注入管的数量为多个，且多个所述注入管关于所述晶舟对称分布。

可选的，还包括内壳和外壳，所述内壳嵌套于所述外壳内部，所述内壳围绕形成所述处理腔室；