[发明专利]晶圆处理装置

权利要求书

1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：

处理腔室，具有容纳晶圆的晶舟，且所述晶舟沿所述处理腔室的轴向方向延伸；

注入管，位于所述处理腔室内且沿所述处理腔室的轴向方向延伸，所述注入管的侧壁具有沿所述注入管的轴向方向间隔排布的多个喷孔，处理气体经所述喷孔传输至所述处理腔室，所述处理气体用于在所述晶圆表面形成阻挡层；

所述注入管中具有多个所述喷孔的区域沿与所述处理腔室的轴向垂直的方向上的投影至少覆盖所述晶舟沿与所述处理腔室的轴向垂直的方向上的投影，以提高所述晶舟内部气体分布的均匀性；所述注入管中具有多个所述喷孔的区域的高度大于或者等于所述晶舟的高度，至少位于所述注入管最低端的所述喷孔能够将所述处理气体传输至位于所述晶舟最底层的所述晶圆表面、且至少位于所述注入管最顶端的所述喷孔能够将所述处理气体传输至位于所述晶舟最顶层的所述晶圆表面；

所述晶舟内具有用于承载晶圆、且沿所述晶舟的轴向方向排布的多条晶圆槽；在沿所述处理腔室的底部指向所述处理腔室的顶部的方向上，与一条所述晶圆槽对应的所述喷孔的数量逐渐增加。

2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述注入管为直管，且所述注入管自所述处理腔室的底部延伸至所述处理腔室的顶部。

3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，多个所述喷孔沿所述注入管的轴向方向等间隔排布。

4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，在沿所述处理腔室的底部指向所述处理腔室的顶部的方向上，所述注入管上的多个所述喷孔的孔径逐渐增大。

5.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，在沿所述处理腔室的底部指向所述处理腔室的顶部的方向上，所述注入管上相邻所述喷孔之间的间隔逐渐减小。

6.根据权利要求5所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述注入管上所有所述喷孔的孔径均相同；或者，

在沿所述处理腔室的底部指向所述处理腔室的顶部的方向上，所述注入管上的多个所述喷孔的孔径逐渐增大。

7.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述注入管的数量为多个，且多个所述注入管关于所述晶舟对称分布。

8.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括内壳和外壳，所述内壳嵌套于所述外壳内部，所述内壳围绕形成所述处理腔室；

所述注入管设置于所述内壳朝向所述处理腔室的内表面。

9.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括设置于所述处理腔室顶部的排气口，所述排气口与所述内壳和所述外壳之间的通道连通，用于排出所述处理腔室内的多余气体。