[发明专利]半导体设备的射频起辉控制方法及装置在审
| 申请号： | 202010766431.4 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN111968905A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 杨京;钟晨玉;韦刚;卫晶 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 姚琳洁;朱文杰 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本说明书一个或多个实施例公开了一种半导体设备的射频起辉控制方法及装置，用以解决现有技术中射频起辉时间波动大导致工艺结果不稳定的问题。所述方法包括：在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；若是，则开启上射频电源SRF；当上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；若是，则开启下射频电源BRF；当下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制半导体设备执行后续工艺。该技术方案能够减小射频起辉时间波动，从而能够保证工艺结果的稳定性，提高批量生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 射频 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
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