[发明专利]半导体设备的射频起辉控制方法及装置

权利要求书

1.一种半导体设备的射频起辉控制方法，其特征在于，包括：

在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；所述腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；

若是，则开启所述上射频电源SRF；

当所述上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

若是，则开启所述下射频电源BRF；

当所述下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制所述半导体设备执行后续工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一延迟时间基于所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例的匹配时间确定；所述第二延迟时间基于所述下射频电源BRF的反射功率的匹配时间确定。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

预先根据所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例对应的第一预设条件，分别对所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例进行多次匹配，得到多个第一匹配时间；

根据所述多个第一匹配时间，确定所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例的第一参考匹配时间；所述第一参考匹配时间包括第一平均匹配时间或第一最大匹配时间；

根据所述第一参考匹配时间确定所述第一延迟时间。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预先根据所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例对应的第一预设条件，分别对所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例进行多次匹配，得到多个第一匹配时间，包括：

确定所述上射频电源SRF从开启到对应的所述反射功率和所述电流比例满足所述第一预设条件时的第一时长；所述第一预设条件包括：所述上射频电源SRF的电流比例处于预设的电流比例范围中、且所述上射频电源SRF的反射功率小于预设的第一功率阈值；

确定所述第一时长为所述第一匹配时间。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

预先根据所述下射频电源BRF的反射功率对应的第二预设条件，对所述下射频电源BRF的反射功率进行多次匹配，得到多个第二匹配时间；

根据所述多个第二匹配时间，确定所述下射频电源BRF的反射功率的第二参考匹配时间；所述第二参考匹配时间包括第二平均匹配时间或第二最大匹配时间；

根据所述第二参考匹配时间确定所述第二延迟时间。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预先根据所述下射频电源BRF的反射功率对应的第二预设条件，对所述下射频电源BRF的反射功率进行多次匹配，得到多个第二匹配时间，包括：

确定所述下射频电源BRF从开启到对应的所述反射功率满足所述第二预设条件时的第二时长；所述第二预设条件包括：所述下射频电源BRF的反射功率小于或者等于预设的第二功率阈值；

确定所述第二时长为所述第二匹配时间。

7.一种半导体设备的射频起辉控制装置，其特征在于，包括：

判断模块，用于在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；所述腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；以及用于当所述上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

控制模块，与所述判断模块电连接，用于若所述判断模块的判断结果为上射频电源SRF的加载功率大于或者等于预设的第一电源开启功率，则开启所述上射频电源SRF；以及用于若所述判断模块的判断结果为下射频电源BRF的加载功率大于或者等于预设的第二电源开启功率，则开启所述下射频电源BRF，且当所述下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制所述半导体设备执行后续工艺。