[发明专利]半导体设备的射频起辉控制方法及装置

说明书

本说明书一个或多个实施例公开了一种半导体设备的射频起辉控制方法及装置，用以解决现有技术中射频起辉时间波动大导致工艺结果不稳定的问题。所述方法包括：在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；若是，则开启上射频电源SRF；当上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；若是，则开启下射频电源BRF；当下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制半导体设备执行后续工艺。该技术方案能够减小射频起辉时间波动，从而能够保证工艺结果的稳定性，提高批量生产率。

技术领域

本说明书涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体设备的射频起辉控制方法及装置。

背景技术

目前，半导体制造工艺过程主要包含Stable(稳定)步和RF(Radio Frequency，射频)起辉步。在Stable步中，腔室内无射频功率馈入，无等离子体产生，在RF起辉步中，腔室内馈入射频功率，以激发腔室内的气体产生等离子体。而产生的等离子体作用于工件对工艺结果造成影响。

RF起辉步还可以细化分为射频起辉匹配步和射频起辉工艺步。其中，射频起辉工艺步的时间是一个定值，但射频起辉匹配步的时间则是一个变量，不仅受到参数匹配时间波动的影响，还会受到工作硬件(如电源、匹配器、温度传感器Sensor等)和机台软件通讯延迟时间波动的影响，从而造成相同工艺的射频起辉时间存在差异，导致相同工艺的腔室内加载的功率不同，进一步造成各工艺过程中的等离子体不同(如等离子体的密度不同)，最终导致相同工艺的工艺结果不一致，影响批量生产率。

发明内容

本说明书一个或多个实施例的目的是提供一种半导体设备的射频起辉控制方法及装置，用以解决现有技术中射频起辉时间波动大导致工艺结果不稳定的问题。

为解决上述技术问题，本说明书一个或多个实施例是这样实现的：

一方面，本说明书一个或多个实施例提供一种半导体设备的射频起辉控制方法，包括：

在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；所述腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；

若是，则开启所述上射频电源SRF；

当所述上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

若是，则开启所述下射频电源BRF；

当所述下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制所述半导体设备执行后续工艺。

另一方面，本说明书一个或多个实施例提供一种半导体设备的射频起辉控制装置，包括：

判断模块，用于在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；所述腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；以及用于当所述上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

控制模块，与所述判断模块电连接，用于若所述判断模块的判断结果为上射频电源SRF的加载功率大于或者等于预设的第一电源开启功率，则开启所述上射频电源SRF；以及用于若所述判断模块的判断结果为下射频电源BRF的加载功率大于或者等于预设的第二电源开启功率，则开启所述下射频电源BRF，且当所述下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制所述半导体设备执行后续工艺。

再一方面，本说明书一个或多个实施例提供一种半导体设备的射频起辉控制设备，包括：