[发明专利]LDMOS器件的制备方法在审
| 申请号： | 202010753004.2 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111834228A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘长振;令海阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件的制备方法，包括，在半导体衬底中形成第一导电类型的阱区；然后，在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述阱区和部分所述半导体衬底；以及，对所述栅极结构和所述半导体衬底执行离子注入工艺，在所述半导体衬底中形成第二导电类型的漂移区。其中，在对栅极结构和所述半导体衬底执行离子注入工艺时，所述栅极结构可以阻挡所述离子注入工艺对所述半导体衬底的离子注入，减少所述半导体衬底离子注入的能量和剂量，减小形成的所述漂移区中的离子浓度和深度，由此，可以使电场分散，从而以使LDMOS器件中的电场强度变小,进而可以提高LDMOS器件的阈值电压，进一步的，可有效的提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
