[发明专利]LDMOS器件的制备方法

说明书

本发明提供一种LDMOS器件的制备方法，包括，在半导体衬底中形成第一导电类型的阱区；然后，在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述阱区和部分所述半导体衬底；以及，对所述栅极结构和所述半导体衬底执行离子注入工艺，在所述半导体衬底中形成第二导电类型的漂移区。其中，在对栅极结构和所述半导体衬底执行离子注入工艺时，所述栅极结构可以阻挡所述离子注入工艺对所述半导体衬底的离子注入，减少所述半导体衬底离子注入的能量和剂量，减小形成的所述漂移区中的离子浓度和深度，由此，可以使电场分散，从而以使LDMOS器件中的电场强度变小,进而可以提高LDMOS器件的阈值电压，进一步的，可有效的提高器件的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种LDMOS器件的制备 方法。

背景技术

横向双扩散金属氧化物半导体(lateral double diffusion MOS,LDMOS)器件，具有高击穿电压，与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的特性，因此被 广泛应用于功率器件中。LDMOS器件中的源漏极区域与栅极之间有一个较长 的轻掺杂区域，被称为漂移区。LDMOS晶体管在源漏接高压时，通过漂移区来 承受较高的电压降，以获得高击穿电压。现有的LDMOS器件的制备方法通常 包括，在半导体衬底中形成阱区，然后在所述阱区中形成漂移区，接着，在所述 漂移区上形成栅极结构，然而，上述制备方法使得LDMOS器件中的电场强度 较大，从而导致器件性能较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种LDMOS器件的制备方法，以解决LDMOS器 件中的的电场强度较大，且器件性能较差的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种LDMOS器件的制备方法，所述 LDMOS器件的制备方法包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成第一导电类型的阱区；

在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述阱区和部 分所述半导体衬底；以及，

对所述栅极结构和所述半导体衬底执行离子注入工艺，在所述半导体衬底 中形成第二导电类型的漂移区。

可选的，在所述的LDMOS器件的制备方法中，在形成所述阱区之后，以及 在形成所述栅极结构之前，所述LDMOS器件的制备方法还包括，在所述半导 体衬底上形成一场氧化层，所述场氧化层两侧均暴露出部分所述半导体衬底。

可选的，在所述的LDMOS器件的制备方法中，所述栅极结构位于所述场 氧化层靠近所述第一阱区的一侧，并延伸覆盖部分所述场氧化层。

可选的，在所述的LDMOS器件的制备方法中，所述栅极结构包括一栅氧 化层和一栅极，所述栅氧化层位于所述场氧化层一侧并覆盖部分所述阱区和部 分所述半导体衬底，所述栅极覆盖所述栅氧化层并延伸覆盖部分所述场氧化层。

可选的，在所述的LDMOS器件的制备方法中，对所述栅极结构和所述半 导体衬底执行离子注入工艺包括：

采用多次离子注入，在所述栅极结构和所述半导体衬底中注入第二导电类 型的掺杂离子；其中，多次离子注入的注入能量和剂量均不同。

可选的，在所述的LDMOS器件的制备方法中，在所述栅极结构和所述半 导体衬底中注入第二导电类型的掺杂离子的方法包括：

执行第一次离子注入工艺，采用的注入能量为300Kev～600Kev，注入剂量 为20E2/cm²～25E2/cm²；

执行第二次离子注入工艺，采用的注入能量为250Kev～300Kev，注入剂量 为25E2/cm²～30E2/cm²；