[发明专利]LDMOS器件的制备方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成第一导电类型的阱区；

在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述阱区和部分所述半导体衬底；以及，

对所述栅极结构和所述半导体衬底执行离子注入工艺，在所述半导体衬底中形成第二导电类型的漂移区。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，在形成所述阱区之前，所述LDMOS器件的制备方法还包括，在所述半导体衬底上形成一场氧化层，所述场氧化层两侧均暴露出部分所述半导体衬底。

3.如权利要求2所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述栅极结构位于所述场氧化层靠近所述阱区的一侧，并延伸覆盖部分所述场氧化层。

4.如权利要求3所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述栅极结构包括一栅氧化层和一栅极，所述栅氧化层位于所述场氧化层一侧并覆盖部分所述阱区和部分所述半导体衬底，所述栅极覆盖所述栅氧化层并延伸覆盖部分所述场氧化层。

5.如权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，对所述栅极结构和所述半导体衬底执行离子注入工艺包括：

采用多次离子注入工艺，在所述栅极结构和所述半导体衬底中注入第二导电类型的掺杂离子；其中，多次离子注入的注入能量和剂量均不同。

6.如权利要求5所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，在所述栅极结构和所述半导体衬底中注入第二导电类型的掺杂离子的方法包括：

执行第一次离子注入工艺，采用的注入能量为300Kev～600Kev，注入剂量为20E2/cm²～25E2/cm²；

执行第二次离子注入工艺，采用的注入能量为250Kev～300Kev，注入剂量为25E2/cm²～30E2/cm²；

执行第三次离子注入工艺，采用的注入能量为50Kev～100Kev，注入剂量为25E2/cm²～40E2/cm²。

7.如权利要求6所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述第二导电类型的掺杂离子为磷离子。

8.如权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成栅极结构之后，且在对所述栅极结构和所述半导体衬底执行离子注入工艺之前，所述LDMOS器件的制备方法还包括，在所述半导体衬底中形成第一导电类型的掺杂区，在形成所述漂移区后，所述漂移区位于所述掺杂区上。

9.如权利要求8所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述掺杂区内具有第一导电类型的掺杂离子；其中，所第一导电类型的掺杂离子为硼离子。

10.如权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型或者P型，所述第二导电类型与所述第一导电类型的导电类型相反。