[发明专利]用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法及系统在审
| 申请号： | 202010752539.8 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111885743A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王文爽;沈文齐 | 申请（专利权）人： | 蚌埠泰鑫材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H04W76/10 | 分类号： | H04W76/10;H04W76/27;H04W74/08;H04W56/00;H04W76/19 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 汤文旋 |
| 地址： | 233000 安徽省蚌埠市蚌山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，包括如下步骤：由移动终端监测与磁控溅射过程有关的信息；由移动终端监听由宏基站发送的同步信号以及系统信息，并由移动终端与宏基站建立RRC连接；响应于与宏基站建立RRC连接，由移动终端监听由宏基站发送的同步信号，并由移动终端基于宏基站发送的同步信号来确定移动终端与宏基站之间的通信链路的第一链路质量；响应于确定第一链路质量，由移动终端判断第一链路质量是否低于第一链路质量门限；如果判断第一链路质量低于第一链路质量门限，则由移动终端向宏基站发送测量报告；响应于接收到测量报告，由宏基站向第一微基站以及第二微基站发送切换请求消息。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 生产过程 基于 nr 磁控溅射 过程 监测 方法 系统 | ||
【主权项】：
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