[发明专利]用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法及系统

权利要求书

1.一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，其特征在于，所述用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法包括如下步骤：

由移动终端监测与磁控溅射过程有关的信息；

由移动终端监听由宏基站发送的同步信号以及系统信息，并由移动终端与所述宏基站建立RRC连接；

响应于与所述宏基站建立RRC连接，由移动终端监听由宏基站发送的同步信号，并由移动终端基于所述宏基站发送的同步信号来确定所述移动终端与所述宏基站之间的通信链路的第一链路质量；

响应于确定所述第一链路质量，由移动终端判断所述第一链路质量是否低于第一链路质量门限，其中，所述第一链路质量门限是在所述系统信息中指示的；

如果判断所述第一链路质量低于第一链路质量门限，则由移动终端向所述宏基站发送测量报告；

响应于接收到所述测量报告，由宏基站向第一微基站以及第二微基站发送切换请求消息；

响应于接收到所述切换请求消息，由第一微基站判断所述第一微基站是否能够允许所述移动终端随机接入所述第一微基站；

响应于接收到所述切换请求消息，由第二微基站判断所述第二微基站是否能够允许所述移动终端随机接入所述第二微基站；

如果判断所述第一微基站能够允许所述移动终端随机接入所述第一微基站，则由第一微基站向所述宏基站发送第一切换请求确认消息，其中，所述第一切换请求确认消息中包括用于所述移动终端随机接入所述第一微基站所需要的配置信息；

如果判断所述第二微基站能够允许所述移动终端随机接入所述第二微基站，则由第二微基站向所述宏基站发送第二切换请求确认消息，其中，所述第二切换请求确认消息中包括用于所述移动终端随机接入所述第二微基站所需要的配置信息；

响应于接收到所述第一切换请求确认消息以及所述第二切换请求确认消息，由宏基站向所述移动终端发送第一切换配置消息，其中，所述第一切换配置消息中至少包括第一切换配置消息ID、第一RRC重配置消息、第二RRC重配置消息、第一切换执行条件以及第二切换执行条件，其中，所述第一RRC重配置消息中指示用于所述移动终端随机接入所述第一微基站所需要的配置信息，所述第二RRC重配置消息中指示用于所述移动终端随机接入所述第二微基站所需要的配置信息，其中，所述第一RRC重配置消息与第一RRC重配置消息ID相关联，所述第二RRC重配置消息与第二RRC重配置消息ID相关联，所述第一切换执行条件与所述第一切换执行条件ID相关联，所述第二切换执行条件与所述第二切换执行条件ID相关联。

2.如权利要求1所述的用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，其特征在于，所述用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法包括如下步骤：

响应于接收到所述第一切换配置消息，由移动终端监测由第一微基站发送的同步信号以及由第二微基站发送的同步信号；

响应于监测到由第一微基站发送的同步信号以及由第二微基站发送的同步信号，由移动终端基于由第一微基站发送的同步信号确定所述移动终端与所述第一微基站之间的通信链路的第二链路质量，以及由移动终端基于由第二微基站发送的同步信号确定所述移动终端与所述第二微基站之间的通信链路的第三链路质量；

响应于确定所述第二链路质量，由移动终端判断所述第二链路质量是否高于第二链路质量门限，其中，所述第二链路质量门限是在所述第一切换执行条件中指示的；

响应于确定所述第三链路质量，由移动终端判断所述第三链路质量是否高于第三链路质量门限，其中，所述第三链路质量门限是在所述第二切换执行条件中指示的；

如果判断所述第二链路质量高于第二链路质量门限，则由移动终端随机接入所述第一微基站；

响应于随机接入所述第一微基站，由移动终端断开与所述宏基站的RRC连接；

响应于随机接入所述第一微基站，由移动终端向所述第一微基站发送所述与磁控溅射过程有关的信息；

如果判断所述第三链路质量高于第三链路质量门限，则由移动终端随机接入所述第二微基站；

响应于随机接入所述第二微基站，由移动终端断开与所述宏基站的RRC连接；

响应于随机接入所述第二微基站，由移动终端向所述第二微基站发送所述与磁控溅射过程有关的信息。