[发明专利]用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法及系统

说明书

本发明公开了一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，包括如下步骤：由移动终端监测与磁控溅射过程有关的信息；由移动终端监听由宏基站发送的同步信号以及系统信息，并由移动终端与宏基站建立RRC连接；响应于与宏基站建立RRC连接，由移动终端监听由宏基站发送的同步信号，并由移动终端基于宏基站发送的同步信号来确定移动终端与宏基站之间的通信链路的第一链路质量；响应于确定第一链路质量，由移动终端判断第一链路质量是否低于第一链路质量门限；如果判断第一链路质量低于第一链路质量门限，则由移动终端向宏基站发送测量报告；响应于接收到测量报告，由宏基站向第一微基站以及第二微基站发送切换请求消息。

技术领域

本发明是关于半导体生产技术领域，特别是关于一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法及系统。

背景技术

半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。由于晶体管尺寸基本都在纳米量级，所以半导体生产过程的监控是提升半导体制造能力的基本途径。

现有技术CN109786240A公开了一种金属层的形成方法、半导体器件及其形成方法，金属层的形成方法包括：将一衬底置于一反应腔室内；利用磁控溅射工艺在衬底上形成第一子金属层；利用磁控溅射工艺在第一子金属层上形成第二子金属层，并向反应腔室内通入加热气流，第一子金属层和第二子金属层共同构成金属层，第一子金属层和第二子金属层的材料均包括掺杂铜的铝。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法及系统，其能够克服现有技术的缺陷。

为实现上述目的，本发明提供了一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，包括如下步骤：由移动终端监测与磁控溅射过程有关的信息；由移动终端监听由宏基站发送的同步信号以及系统信息，并由移动终端与宏基站建立RRC连接；响应于与宏基站建立RRC连接，由移动终端监听由宏基站发送的同步信号，并由移动终端基于宏基站发送的同步信号来确定移动终端与宏基站之间的通信链路的第一链路质量；响应于确定第一链路质量，由移动终端判断第一链路质量是否低于第一链路质量门限，其中，第一链路质量门限是在系统信息中指示的；如果判断第一链路质量低于第一链路质量门限，则由移动终端向宏基站发送测量报告；响应于接收到测量报告，由宏基站向第一微基站以及第二微基站发送切换请求消息；响应于接收到切换请求消息，由第一微基站判断第一微基站是否能够允许移动终端随机接入第一微基站；响应于接收到切换请求消息，由第二微基站判断第二微基站是否能够允许移动终端随机接入第二微基站；如果判断第一微基站能够允许移动终端随机接入第一微基站，则由第一微基站向宏基站发送第一切换请求确认消息，其中，第一切换请求确认消息中包括用于移动终端随机接入第一微基站所需要的配置信息；如果判断第二微基站能够允许移动终端随机接入第二微基站，则由第二微基站向宏基站发送第二切换请求确认消息，其中，第二切换请求确认消息中包括用于移动终端随机接入第二微基站所需要的配置信息；响应于接收到第一切换请求确认消息以及第二切换请求确认消息，由宏基站向移动终端发送第一切换配置消息，其中，第一切换配置消息中至少包括第一切换配置消息ID、第一RRC重配置消息、第二RRC重配置消息、第一切换执行条件以及第二切换执行条件，其中，第一RRC重配置消息中指示用于移动终端随机接入第一微基站所需要的配置信息，第二RRC重配置消息中指示用于移动终端随机接入第二微基站所需要的配置信息，其中，第一RRC重配置消息与第一RRC重配置消息ID相关联，第二RRC重配置消息与第二RRC重配置消息ID相关联，第一切换执行条件与第一切换执行条件ID相关联，第二切换执行条件与第二切换执行条件ID相关联。