[发明专利]一种双-6T SRAM结构的存内计算装置有效
| 申请号： | 202010748938.7 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111816231B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 乔树山;陶皓;尚德龙;周玉梅 | 申请（专利权）人： | 中科南京智能技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王立普 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市江宁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双‑6T SRAM结构的存内计算装置。该装置包括：奇偶双通道阵列、T6T SRAM单元阵列、全局‑局部参考电压产生模块、两位补码处理模块和输出组合器，奇偶双通道阵列用于将输入数据分别利用奇数通道和偶数通道输入至T6T SRAM单元阵列，T6T SRAM单元阵列用于将输入数据进行存储和计算；T6T SRAM单元阵列与全局‑局部参考电压产生模块连接，全局‑局部参考电压产生模块与两位补码处理模块连接，两位补码处理模块用于将T6T SRAM单元阵列计算后的数据进行补码操作，输出组合器和两位补码处理模块连接，输出组合器用于将补码操作后的数据进行累加结合，得到最终的输出数据。本发明能够减少中间数据的产生，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 结构 计算 装置 | ||
【主权项】：
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