[发明专利]一种接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法在审
| 申请号： | 202010737806.4 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN112017983A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 金德容;吴容哲;曲扬;高建峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法。该检测方法用于检测出半导体结构上的开放不良的接触孔；所述半导体结构包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层；所述氧化物层上开设有若干贯穿所述氧化物层的接触孔；所述检测方法包括：在所述晶圆上进行外延生长工艺，以便在所述接触孔内生成硅单晶体；通过光学检验设备检测所述半导体结构，将检测到的未生成有硅单晶体的接触孔确定为开放不良的接触孔。本公开实施例提供的开放不良的接触孔的检测方法，使用光学检验设备就能快速全面准确地检测出半导体结构是否存在接触孔开放不良问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 检测 方法 半导体 产品 处理 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
