[发明专利]一种接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法

说明书

本申请公开了一种接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法。该检测方法用于检测出半导体结构上的开放不良的接触孔；所述半导体结构包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层；所述氧化物层上开设有若干贯穿所述氧化物层的接触孔；所述检测方法包括：在所述晶圆上进行外延生长工艺，以便在所述接触孔内生成硅单晶体；通过光学检验设备检测所述半导体结构，将检测到的未生成有硅单晶体的接触孔确定为开放不良的接触孔。本公开实施例提供的开放不良的接触孔的检测方法，使用光学检验设备就能快速全面准确地检测出半导体结构是否存在接触孔开放不良问题。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种开放不良的接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法。

背景技术

在进行半导体制造工艺时，为了将导线连接需要制作接触孔。半导体芯片缩小，接触孔也渐渐变小变深，要打造完美的接触孔也日渐困难。接触孔如果没做好，导线与导线无法连接的情况称为接触孔开放不良，虽然开放不良会以电子束检验设备来进行检查，但是有时会因为一些原因导致无法检测出不良问题。在半导体制造工艺发生的许多不良问题中，利用电子束检验设备来检验刻蚀接触孔时发生的接触孔开放不良的问题。电子束检验设备的低量测速度导致无法测量整个晶圆，刻蚀时，若接触件底部残留非常薄的绝缘膜，就无法检验出开放不良的问题。

使用电子束检验设备检验接触孔开放不良时，如图1和图2所示，如果接触孔6残留绝缘膜3和4(其中绝缘膜3比绝缘膜4薄一些，绝缘膜可以为氧化物材料制成)，则接触孔6下方的电子无法穿越绝缘膜3和4到外部，因此从图2中所示的最右侧的接触孔6开口处看起来是暗的，导致电子束检验设备无法检出接触孔开放不良状况。如图3和图4所示，在大深度的接触孔6下方所发生的电子被氧化物层5吸收，到达外部的电子数量就非常少，电子束检验设备也无法检测出来，因此难以将该状况与开放不良状况进行区分。另外，电子束检验设备检测的速度相当慢,能检验的面积和时间相当受限。

发明内容

本公开的目的是提供一种接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。

根据本公开实施例的一个方面，提供一种接触孔的检测方法，用于检测出半导体结构上的开放不良的接触孔；所述半导体结构包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层；所述氧化物层上开设有若干贯穿所述氧化物层的接触孔；所述检测方法包括：

在所述晶圆上进行外延生长工艺，以便在所述接触孔内生成硅单晶体；

通过光学检验设备检测所述半导体结构，将检测到的未生成有硅单晶体的接触孔确定为开放不良的接触孔。

根据本公开实施例的另一个方面，提供一种半导体产品的处理方法，包括：

提供一半导体结构；所述半导体结构为包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层；所述氧化物层上开设有若干贯穿所述氧化物层的接触孔；

利用上述的检测方法检测出所述半导体结构上的开放不良的接触孔；

进行平坦化操作，将所述硅单晶体的高于所述氧化物层顶面的部分去除。

根据本公开实施例的另一个方面，提供一种电子设备，包括通过上述的处理方法处理得到的半导体产品。

本公开实施例的其中一个方面提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本公开实施例提供的接触孔的检测方法，使用光学检验设备就能快速全面准确地检测出半导体结构是否存在接触孔开放不良问题。