[发明专利]一种接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法

权利要求书

1.一种接触孔的检测方法，其特征在于，用于检测出半导体结构上的开放不良的接触孔；所述半导体结构包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层；所述氧化物层上开设有若干贯穿所述氧化物层的接触孔；所述检测方法包括：

在所述晶圆上进行外延生长工艺，以在所述接触孔内生成硅单晶体；

通过光学检验设备检测所述半导体结构，将检测到的未生成有硅单晶体的接触孔确定为开放不良的接触孔。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述外延生长工艺采用气相外延工艺、液相外延工艺或分子束外延工艺。

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述氧化物层为氧化硅层。

4.一种半导体产品的处理方法，其特征在于，包括：

提供一半导体结构，所述半导体结构为包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层，所述氧化物层上开设有若干贯穿所述氧化物层的接触孔；

利用权利要求1-3任一项所述的检测方法检测出所述半导体结构上的开放不良的接触孔；

进行平坦化操作，将所述硅单晶体的高于所述氧化物层顶面的部分去除。

5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述提供一半导体结构，包括：

提供一晶圆；

在所述晶圆上沉积氧化物层；

在所述氧化物层上刻蚀出若干贯穿所述氧化物层的接触孔。

6.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述进行平坦化操作为进行化学机械抛光操作或进行干法刻蚀操作。

7.一种电子设备，包括通过权利要求4至6中任一项所述的处理方法处理得到的半导体产品。

8.根据权利要求7所述的电子设备，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。