[发明专利]碳化硅结势垒肖特基半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010668498.4 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113937168A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 陈道坤;林苡任;史波;曾丹 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 韩来兵 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅结势垒肖特基半导体器件及其制造方法。碳化硅结势垒肖特基半导体器件包括层叠设置的衬底和外延层，所述外延层上表面设置有源区和位于所述有源区周围的终端区，所述有源区包括若干间隔设置的结势垒区，其中，沿所述有源区的中部至边缘的方向，所述结势垒区的间距逐渐增加。有源区中心的电流密度比有源区边缘区域的电流密度稍低，使得碳化硅结势垒肖特基半导体器件在正向工作时的热分布更均匀，以此达到优化器件热分布的目的，避免热量局部积累导致碳化硅器件性能的退化或可靠性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 结势垒肖特基 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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