[发明专利]第一与第二导电性构件的接合构造、方法及基板处理装置在审
| 申请号： | 202010662433.9 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN112242291A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 阿部纯一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供抑制处理区域的工艺气氛向构成处理基板的处理容器的两个导电性构件的接合界面泄漏的、第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造、接合方法以及基板处理装置。一种第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，该第一导电性构件和第二导电性构件构成在内部具有与外部区域隔离的处理区域的处理容器，在所述处理区域处理基板，其中，所述第一导电性构件和所述第二导电性构件具备接合界面，分开地配设的环状的第一密封槽与第二密封槽面向所述接合界面，在所述第一密封槽配设有第一密封构件，在所述第二密封槽配设有第二密封构件，由所述接合界面的位于所述第一密封槽与所述第二密封槽之间的部分的表面凹凸形成的间隙与所述外部区域连通。 | ||
| 搜索关键词： | 第一 第二 导电性 构件 接合 构造 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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