[发明专利]第一与第二导电性构件的接合构造、方法及基板处理装置

权利要求书

1.一种第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，该第一导电性构件和第二导电性构件构成处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离的处理区域，在所述处理区域处理基板，其中，

所述第一导电性构件和所述第二导电性构件具备接合界面，

分开地配设的环状的第一密封槽和第二密封槽面向所述接合界面，在所述第一密封槽配设有第一密封构件，在所述第二密封槽配设有第二密封构件，

由所述接合界面的位于所述第一密封槽与所述第二密封槽之间的部分的表面凹凸形成的间隙与所述外部区域连通。

2.根据权利要求1所述的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，其中，

在所述第一导电性构件开设有与所述间隙连通的大气导入孔，

所述大气导入孔与所述外部区域连通。

3.根据权利要求2所述的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，其中，

所述大气导入孔与氦气供给源连通。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，其中，

所述第一导电性构件和所述第二导电性构件均由耐腐蚀性的金属或者实施了耐腐蚀性的表面加工的金属形成。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，其中，

所述第二导电性构件为具备向所述处理区域喷出处理气体的多个气体孔的喷淋板，

所述第一导电性构件为形成金属窗的导体板，

在所述接合界面的内侧设有与多个所述气体孔连通的气体扩散槽。

6.一种基板处理装置，该基板处理装置具有处理容器，该处理容器在内部具备与外部区域隔离的处理区域，在所述处理区域处理基板，其中，

所述处理容器包括第一导电性构件和第二导电性构件，

所述第一导电性构件和所述第二导电性构件具备接合界面，

分开地配设的环状的第一密封槽和第二密封槽面向所述接合界面，在所述第一密封槽配设有第一密封构件，在所述第二密封槽配设有第二密封构件，

由所述接合界面的位于所述第一密封槽与所述第二密封槽之间的部分的表面凹凸形成的间隙与所述外部区域连通。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，

在所述第一导电性构件开设有与所述间隙连通的大气导入孔，

所述大气导入孔与所述外部区域连通。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

所述大气导入孔与氦气供给源连通。

9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，

在所述第一导电性构件设有贯通孔，在所述贯通孔安装有气体导入管，

所述贯通孔与所述气体导入管之间的界面成为大气导入界面，所述大气导入界面与所述接合界面的所述间隙以及所述外部区域连通。

10.根据权利要求6～9中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述第一导电性构件和所述第二导电性构件均由耐腐蚀性的金属或者实施了耐腐蚀性的表面加工的金属形成。

11.根据权利要求6～10中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述第二导电性构件为具备向所述处理区域喷出处理气体的多个气体孔的喷淋板，

所述第一导电性构件为形成金属窗的导体板，

在所述接合界面的内侧设有与多个所述气体孔连通的气体扩散槽。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，

所述金属窗由多个分割金属窗形成，

各个所述分割金属窗具有固有的所述导体板、所述喷淋板、所述气体导入管。

13.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其中，

所述喷淋板经由所述导体板接地。

14.一种第一导电性构件与第二导电性构件的接合方法，该第一导电性构件和第二导电性构件构成处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离的处理区域，在所述处理区域处理基板，其中，

该第一导电性构件与第二导电性构件的接合方法至少具有在所述第一导电性构件与所述第二导电性构件之间形成接合界面的工序，

形成所述接合界面的工序包括以下工序：

对分开地配设的环状的第一密封槽和第二密封槽分别配设第一密封构件和第二密封构件；以及

将由所述接合界面的位于所述第一密封槽与所述第二密封槽之间的部分的表面凹凸形成的间隙与所述外部区域连通。