[发明专利]第一与第二导电性构件的接合构造、方法及基板处理装置

说明书

本发明提供抑制处理区域的工艺气氛向构成处理基板的处理容器的两个导电性构件的接合界面泄漏的、第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造、接合方法以及基板处理装置。一种第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，该第一导电性构件和第二导电性构件构成在内部具有与外部区域隔离的处理区域的处理容器，在所述处理区域处理基板，其中，所述第一导电性构件和所述第二导电性构件具备接合界面，分开地配设的环状的第一密封槽与第二密封槽面向所述接合界面，在所述第一密封槽配设有第一密封构件，在所述第二密封槽配设有第二密封构件，由所述接合界面的位于所述第一密封槽与所述第二密封槽之间的部分的表面凹凸形成的间隙与所述外部区域连通。

技术领域

本公开涉及第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造、接合方法以及基板处理装置。

背景技术

在专利文献1中公开有一种具备接合多个容器构成部件而成的容器主体、配置在容器构成部件之间的接合部分的第1密封构件、安装于容器主体的内表面并保护容器主体的保护构件的等离子体处理容器。通过自处理室内部将保护构件插入于容器构成部件之间的接合部分，直到到达第1密封构件的位置为止，而使第1密封构件与保护构件抵接并形成第1密封部。根据专利文献1所公开的等离子体处理容器，由于等离子体、腐蚀性气体被第1密封部遮断，因而等离子体、腐蚀性气体不会到达侧壁与顶板直接抵接的位置，而能够不需要顶板的防蚀铝处理。

专利文献1：日本特开2009-253161号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供有利于抑制处理区域的工艺气氛向构成处理基板的处理容器的两个导电性构件的接合界面泄漏的、第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造、接合方法以及基板处理装置。

用于解决问题的方案

在本公开的一技术方案的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造中，第一导电性构件和第二导电性构件构成处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离的处理区域，在所述处理区域处理基板，其中，

所述第一导电性构件和所述第二导电性构件具备接合界面，

分开地配设的环状的第一密封槽和第二密封槽面向所述接合界面，在所述第一密封槽配设有第一密封构件，在所述第二密封槽配设有第二密封构件，

在所述第一密封槽与所述第二密封槽之间，由所述接合界面的表面凹凸形成的间隙与所述外部区域连通。

发明的效果

根据本公开，能够提供抑制处理区域的处理气氛向构成处理基板的处理容器的两个导电性构件的接合界面泄漏的、第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造、接合方法以及基板处理装置。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置的一个例子的纵剖视图。

图2是图1的II部的放大图，是表示实施方式所涉及的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造的一个例子的纵剖视图。

图3是图2的III部的放大图。

图4是说明第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造的密封性能的检查方法的图。

具体实施方式

以下参照附图说明本公开的实施方式所涉及的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造、接合方法以及基板处理装置。此外，在本说明书和附图中，有时通过对实质上相同的构成要素标注相同的附图标记，而省略重复的说明。

[实施方式]

＜基板处理装置＞