[发明专利]一种敲除诱导多能干细胞NANS基因的方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010659908.9 申请日: 2020-07-09
公开(公告)号: CN111662907B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 卜迁;岑小波;张华琴;代艳萍 申请(专利权)人: 成都华西海圻医药科技有限公司;四川大学
主分类号: C12N15/113 分类号: C12N15/113;C12N15/85;C12N15/90;C12N5/10;C12N5/079
代理公司: 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 代理人: 李高峡;张娟
地址: 610041 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种敲除诱导多能干细胞NANS基因的方法和应用,属于细胞模型构建领域。本发明采用电穿孔法将CRIPSR‑Cas9基因编辑系统转入iPSC;将含有Puromycin抗性基因和GFP基因的Donor DNA插入NANS外显子,通过Puromycin对基因编辑后干细胞进行筛选;转染后加入CloneRTM培养细胞,该体系可以大大提高CRISPR‑Cas9基因组编辑技术在干细胞中的基因编辑效率。本发明将有助于构建NANS缺陷型的3D大脑类器官模型,可应用于基于NANS突变引起的智力发育障碍发病机制的体外研究和药物研发。
搜索关键词: 一种 诱导 多能 干细胞 nans 基因 方法 应用
【主权项】:
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